近日，公共驰名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ认真发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率更正利用缱绻。这些产物平日适用于光伏和风能逆变器、储能系统、电动汽车及充电毛病、不隔断电源(UPS)以及感应加热和焊合系统等场景。
本次推出的QSiC™ 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具备高功率密度和紧凑的系统缱绻上风，显耀裁减了合座系统资本。这一系列产物禁受了高可靠性缱绻，内置的体二极管概况在高达175°C的环境下踏实驱动。此外，悉数器件均流程进步1900 V的高电压测试和600 mJ的UIL雪崩测试，确保在永劫辰使用中的踏实性和安全性。
该系列产物提供多种封装花式，包括裸片(GP2T030A170X)和带有4引脚的TO-247-4L封装(GP2T030A170H)，相沿用户笔据践诺需求机动选拔。此外，SemiQ还推出了合适汽车级AEC-Q101认证的型号(AS2T030A170X和AS2T030A170H)，进一步知足汽车电子领域的高可靠性条目。
伸开剩余57%QSiC 1700 V SiC MOSFET系列凭借低开关损耗、低导通损耗和低电容特点，在行业内开导了新的性能标杆。每个器件还通过了晶圆级老化测试(WLBI)，从而有用筛除可能存在潜在劣势的器件，擢升产物合座质地。
具体而言，裸片和TO-247-4L封装的产物具备564 W的功率耗散才智，流通漏极电流在25°C下为83 A(100°C下为61 A)，脉冲漏极电流在25°C下可达250 A。其导通电阻(RDSON)在25°C时为31 mΩ(125°C时为57 mΩ)，反向归附时辰(tRR)仅为17 ns，充分知足高遵循场景的利用需求。
为了进一步简化系统缱绻，SemiQ还推出了三款模块化产物，迪士尼彩乐园代理包括禁受S3封装(尺度62 mm半桥模块)的模块，以及两款SOT-227封装的功率模块。这些模块化缱绻不仅相沿更高的功率密度，还具有苟简的装配式样，可径直固定于散热器上。
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其中，62 mm半桥模块的功率耗散才智高达2113 W，其流通漏极电流为397 A，脉冲漏极电流可达700 A，结壳热阻仅为0.06°C/W，这使其成为高性能利用中的梦想选拔。而SOT-227模块则兼具高功率输出和低热阻性能，最大功率耗散才智达到652 W，适用于条目高效散热的利用环境。
跟着碳化硅技巧在电力电子领域的快速发展，SemiQ的1700 V SiC MOSFET系列为中压大功率更正领域提供了强有劲的技巧相沿。凭借其高功率密度、高可靠性和各种化选拔，该系列产物有望在光伏、储能、充电毛病等多个行业中推崇紧迫作用，助力我国新动力和电力电子产业的抓续升级。
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发布于：广东省
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