近日，各人知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ厚爱发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率休养运用野心。这些居品世俗适用于光伏和风能逆变器、储能系统、电动汽车及充电面目、不远离电源(UPS)以及感应加热和焊合系统等场景。
本次推出的QSiC™ 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具备高功率密度和紧凑的系统野心上风，显耀镌汰了举座系统资本。这一系列居品采选了高可靠性野心，内置的体二极管大意在高达175°C的环境下踏实开动。此外，总计器件均经由逾越1900 V的高电压测试和600 mJ的UIL雪崩测试，确保在万古候使用中的踏实性和安全性。
该系列居品提供多种封装式样，包括裸片(GP2T030A170X)和带有4引脚的TO-247-4L封装(GP2T030A170H)，复旧用户字据骨子需求活泼聘任。此外，SemiQ还推出了稳当汽车级AEC-Q101认证的型号(AS2T030A170X和AS2T030A170H)，进一步得志汽车电子鸿沟的高可靠性条款。
伸开剩余57%QSiC 1700 V SiC MOSFET系列凭借低开关损耗、低导通损耗和低电容特质，在行业内建立了新的性能标杆。每个器件还通过了晶圆级老化测试(WLBI)，从而灵验筛除可能存在潜在劣势的器件，提高居品举座质料。
具体而言，裸片和TO-247-4L封装的居品具备564 W的功率耗散智商，调和漏极电流在25°C下为83 A(100°C下为61 A)，脉冲漏极电流在25°C下可达250 A。其导通电阻(RDSON)在25°C时为31 mΩ(125°C时为57 mΩ)，反向复原时候(tRR)仅为17 ns，充分得志高服从场景的运用需求。
为了进一步简化系统野心，SemiQ还推出了三款模块化居品，包括采选S3封装(门径62 mm半桥模块)的模块，以及两款SOT-227封装的功率模块。这些模块化野心不仅复旧更高的功率密度，还具有肤浅的安设方法，可径直固定于散热器上。
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其中，62 mm半桥模块的功率耗散智商高达2113 W，其调和漏极电流为397 A，脉冲漏极电流可达700 A，结壳热阻仅为0.06°C/W，这使其成为高性能运用中的遐想聘任。而SOT-227模块则兼具高功率输出和低热阻性能，最大功率耗散智商达到652 W，适用于条款高效散热的运用环境。
跟着碳化硅本领在电力电子鸿沟的快速发展，SemiQ的1700 V SiC MOSFET系列为中压大功率休养鸿沟提供了强有劲的本领复旧。凭借其高功率密度、高可靠性和千般化聘任，该系列居品有望在光伏、储能、充电面目等多个行业中进展紧迫作用，助力我国新动力和电力电子产业的捏续升级。
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发布于：广东省
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