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三星遇困、SK海力士争先。

在SK海力士行将公布第四季度事迹之前，另一家韩国内存巨头三星可能再次堕入逆境。据报说念，该公司将其10nm级第六代（1c）DRAM的开导再推迟了六个月，将诡计日历推迟到2025年6月。

SK 海力士将于 2 月份运行量产 1c DRAM

另一方面，此前的报说念中线路，SK海力士最快将于2月份成为民众首家聘请1c工艺量产DRAM的公司。据报说念，SK海力士近期已完成1c DDR5的量产认证。

三星 HBM4 分娩濒临潜在蔓延

据报说念，三星电子已将其 10nm 第六代 1c DRAM 的开导推迟至 2025 年 6 月。该时刻范例先定于 2024 年底完成，但由于握续的产量挑战，时刻表被推迟了六个月，可能会影响量产筹划。

三星代表拒完全开导时刻表或道路图发表驳斥。不外，业内音尘东说念主士默示，如若 1c DRAM 开导不足预期，筹划于 2025 年下半年量产的第六代 HBM (HBM4) 可能会濒临蔓延。

据报说念，三星在 1c DRAM 开导方面举步维艰。尽管 2024 年底的报说念标明该公司已告捷分娩出第一颗“良品芯片”，但预期的良率水平尚未达到。为了兑现量产，在开导经过中制品率时时需要达到 60% 至 70%。

业界范例的产物开导周期约为18个月。三星于2022年12月完成了10nm第五代1b DRAM，并于2023年5月运行量产。不外，其1c DRAM简直认尚未有最新音尘。

三星 1c DRAM 的蔓延可能会减轻其在竞争热烈的 HBM 市荟萃的地位，有可能将市集拱手让给 SK 海力士和好意思光等竞争敌手。（好意思光的诡计是在 2025 年 4 月完成。）

另一方面，三星 1c DRAM 的蔓延不仅可能让其在 HBM 市集失去上风，并且从更宏不雅的层面来看，三星在通盘这个词半导体业务板块齐濒临着压力。近期就有报说念指出，三星在2025 年将晶圆代工投资削减 50% 以上，该公司将 2025 年的门径投资预算设定为 5 万亿韩元傍边，较 2024 年的 10 万亿韩元投资范围大幅下落。

这一决定是在 2021 年至 2023 年一段时期的积极投资之后作念出的，在此时代，三星代工场破耗了约 20 万亿韩元来扩大产能并鼓动时刻。然则，在客岁 10 月发布的 2024 年第三季度财报中，三星电子还是预测对门径投资选用保守作风，默示“瞻望 2024 年门径投资实验领域将减少”，迪士尼彩乐园“2025 年咱们将最大限度地增多门径投资，现存分娩基础门径的运营。”

本年的代工投资将集合在华城S3工场和平泽2工场(P2)。在S3工场，部分3nm 分娩线将转念为2nm。这次改革波及在现存分娩线上增多一些配置，不属于大领域的新增投资。同期，P2工场筹划于本年内装配一条1.4纳米测试线，每月产能为2,000至3,000片晶圆。此外，还将进行小领域投资，补充好意思国泰勒工场的多样配置和基础门径

配置投资减少的主要原因是客户订单疲软。三星代工场最近濒临良率低和先进工艺蔓延的问题，这艰涩了其引诱“大型科技”客户的智商。平泽4-7纳米代工门径的开工率已减少30%以上，进一步加重了这种情况。

三星代工更要紧的担忧是与朝上代工公司台积电的差距不休扩大。仅客岁一年，台积电就在代工门径上投资了 9560 亿新台币（约合 42 万亿韩元），是三星代工场同期投资额的四倍。台积电的这一纰谬投资突显了三星在民众半导体市局势临的竞争压力。

一位行业东说念主士讲明注解说：“三星代工场似乎优先商酌的是增强其2纳米时刻竞争力，而不是大幅减少投资。”这一战术要点是鼓动 2nm 时刻，这被视为栽植三星在市荟萃的地位并处理其面前边临的时刻挑战的关节举措。

三星 1c DRAM 开导的推迟可能会干预其从头在 HBM 市集站稳脚跟的更平素筹划，激发对其永远竞争力的担忧。

据报说念，三星曾筹划将 1c DRAM 纳入其 HBM4 产物中。然则，如若 1c DRAM 量产推迟到 2025 年底，HBM4 的推出可能会濒临相应的蔓延，从而可能影响市集准备度。

三星现在专注于在 2025 年上半年加速 DRAM 开导，以栽植良率。与此同期，SK 海力士选用了更为保守的门径，取舍将 1b DRAM 集成到其 HBM4 产物中，以确保解析的分娩时刻表。

据业内东说念主士线路，三星正在对其 1c DRAM 进行联想修改，以加速开导速率。这与英伟达首席实验官黄仁勋在 CES 2025 上的话语一致，他指出“新联想”的需求是不使用三星 HBM 产物的一个主要原因。

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